日本產學合作開發小型功率半導體電力轉換器
日本產學合作開發小型功率半導體電力轉換器
作者:吳旻芬 現職:留日學人
文章來源:取材自2012/09/03 日經產業新聞
發佈時間:2012.10.27
日本日立電線和法政大學合作以氫化鉀取代原來的矽晶和碳化矽研發出高性能功率半導體。因電壓被提高 2 倍以上,電力轉換器可縮小為矽晶元件的五分之一,碳化矽製的一半以下。
所開發的功率半導體為單向的電流二極體,用於交流電源變換成直流電源等。素材為日立電線開發的氫化鉀基板。基板是電性相異的氫化鉀薄膜五層重疊的縱型構造,因減少結晶的缺陷,也改良元件構造,故可耐高電壓。
功率半導體還具有整流電路的性質,大幅降低電流阻塞效應。在電路元件內部發光後再被吸收,透過輸電功能增加的現象,電阻已大為降低。作為單一電流的功率半導體在綜合性能上為過去之最。
資訊來源:http://stn.nsc.gov.tw/view_detail.asp?doc_uid=1011019017&kind_no=A04
作者:吳旻芬 現職:留日學人
文章來源:取材自2012/09/03 日經產業新聞
發佈時間:2012.10.27
日本日立電線和法政大學合作以氫化鉀取代原來的矽晶和碳化矽研發出高性能功率半導體。因電壓被提高 2 倍以上,電力轉換器可縮小為矽晶元件的五分之一,碳化矽製的一半以下。
所開發的功率半導體為單向的電流二極體,用於交流電源變換成直流電源等。素材為日立電線開發的氫化鉀基板。基板是電性相異的氫化鉀薄膜五層重疊的縱型構造,因減少結晶的缺陷,也改良元件構造,故可耐高電壓。
功率半導體還具有整流電路的性質,大幅降低電流阻塞效應。在電路元件內部發光後再被吸收,透過輸電功能增加的現象,電阻已大為降低。作為單一電流的功率半導體在綜合性能上為過去之最。
資訊來源:http://stn.nsc.gov.tw/view_detail.asp?doc_uid=1011019017&kind_no=A04
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